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矽外延 |
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所有的“外延生長”大同小異。 在適合的晶體底層上的單個晶體半導體薄膜的生長就是外延生長。底層通常是由和沈積的半導體同種物質的晶體組成，但也不總是這樣。高質量的單晶矽薄膜已經可以在合成藍寶石或尖晶石wafer上生長了，因為這些物質都有像矽一樣可以讓晶核生長的晶體結構。合成藍寶石或尖晶石的成本超過同尺寸的矽wafer太多了，所以大多數外延生長沉積還是在矽底層上生長矽薄膜。 有幾種不同的方法來生長外延（epi）層。一種比較粗糙的方法是把熔融的半導體物質注入底層上，經過一段時間後結晶，然後把多於的液體去除。然後wafer的表面可以重新研磨拋光形成外延層。很明顯這個liquid-phase epitaxy的缺點是重新研磨的高成本和外延層厚度精確控制的難度。 大多數現代外延沉積使用低壓化學氣相沉積(LPCVD)外延生長。 |
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