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雙向可控矽 |
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ITSM--通態一個週波不反复浪湧電流 VTM--通態峰值電壓 IGT--門極觸發電流 VGT--門極觸發電壓IH--維持電流 dv/dt--斷態電壓臨界上升率 di/dt--通態電流臨界上升率 Rthjc--結殼熱阻 VISO--模塊絕緣電壓 Tjm--額定結溫 VDRM--斷態重複峰值電壓 IRRM--反向重複峰值電流 IF(AV)--正向平均電流 元件簡介 一種以矽單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制於1957年，由於它特性類似於真空閘流管，所以國際上通稱為矽晶體閘流管，簡稱可控矽T。又由於可控矽最初應用於可控整流方面所以又稱為矽可控整流元件，簡稱為可控矽SCR。 在性能上，可控矽不僅具有單嚮導電性，而且還具有比矽整流元件（俗稱“死矽 ”）更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。 可控矽能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。 可控矽的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。 可控矽的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。 可控矽從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。 產品分類 可控矽有多種分類方法。 （一）按關斷、導通及控制方式分類：可控矽按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控矽、雙向可控矽、逆導可控矽、門極關斷可控矽（GTO）、BTG可控矽、溫控可控矽和光控可控矽等多種。 （二）按引腳和極性分類：可控矽按其引腳和極性可分為二極可控矽、三極可控矽和四極可控矽。 （三）按封裝形式分類：可控矽按其封裝形式可分為金屬封裝可控矽、塑封可控矽和陶瓷封裝可控矽三種類型。其中，金屬封裝可控矽又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控矽又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。 （四）按電流容量分類：可控矽按電流容量可分為大功率可控矽、中功率可控矽和小功率可控矽三種。通常，大功率可控矽多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控矽則多采用塑封或陶瓷封裝。 (五）按關斷速度分類：可控矽按其關斷速度可分為普通可控矽和高頻（快速）可控矽。 封裝形式 常用可控矽的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。 |
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